| 郝正同,杨子义.KSi能带结构及态密度的第一性原理研究[J].井冈山大学自然版,2010,(5): |
| KSi能带结构及态密度的第一性原理研究 |
| FIRST-PRINCIPLES CALCULATIONS ON ELECTRONIC STRUCTURE OF KSI |
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| DOI： |
| 中文关键词: 第一性原理 电子能带结构 态密度 |
| 英文关键词: KSi |
| 基金项目:贵州省科学技术基金，贵阳市科技计划项目 |
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| 中文摘要: |
| 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对KSi的电子结构进行了理论计算,计算表明KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42 eV.详细讨论了KSi在费米面附近的价带与导带的电子态密度的结构. |
| 英文摘要: |
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